化合物半导体在新能源、5G通信、物联网、AI人工智能等前沿技术领域中展现出了巨大的应用前景和发展空间，而随着SiC、GaN等第三代半导体材料被广泛使用，在应用升级的推动下，对于晶圆和化合物半导体的热处理技术要求也越来越高。传统的炉管退火工艺利用长时间的高温处理消除离子注入损伤、应力释放等，但存在缺陷消除不完全、退火时间长容易导致杂质再分布，温场控制困难等问题。因此需要一种退火温度可控、退火效率更高的新型退火方案。
RTP快速退火炉原理
RTP（Rapid Thermal Processing）快速退火炉是一种用于半导体器件制造和材料研究的设备，原理是通过控制加热和冷却过程中的温度和时间，以改变其性质或结构，从而实现对材料的精确控制和优化处理。
RTP结构示意图（图源网络）
RTP快速退火炉优势
RTP快速退火炉的快速升温过程和短暂的持续时间能够修复晶格缺陷，进而激活杂质，优化离子注入工艺后的导电性能。提供了更先进的温度控制，可以实现秒级退火，提高了退火效率的同时有效节约生产成本。
为满足市场高速发展的需求，晟鼎精密积极探索快速热退火应用方案，凭借多年技术优势及行业经验，自主研发推出RTP全自动双腔快速退火炉，广泛应用于IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、金属合金等，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能。
晟鼎精密RTP快速退火炉技术优势
1.选用卤素红外灯作为热源，利用极快的升温速率，制程范围覆盖200-1250℃