绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为现代电力电子系统的核心部件，其封装质量直接关系到模块的可靠性、导热性和长期稳定性。在封装过程中，芯片、基板、键合线及塑封料之间的界面洁净度是影响性能的关键因素。微量的有机污染物、氧化层或颗粒残留都会导致界面粘接不良、热阻增大、接触电阻升高，甚至引发早期失效。

IGBT芯片作为现代电力电子系统的核心部件，其可靠性直接决定了整个装置的效能与寿命。在封装工艺前，芯片及框架表面的微观污染物，如有机残留、氧化物和颗粒物，是影响键合强度、封装气密性及长期可靠性的关键隐患。传统的湿法清洗在环保性、对精细结构的适应性以及避免二次污染方面存在局限。

在半导体功率器件领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片因其高频率、高电压和大电流的处理能力，已成为现代电力电子系统的核心。其封装质量直接决定了模块的可靠性、导热性能和长期稳定性。

在IGBT芯片封装工艺链中，等离子清洗作为一项关键的表面预处理技术，其效果直接关系到后续引线键合、贴片等工序的质量与最终模块的长期可靠性。然而，若应用不当，非但不能提升品质，反而可能引入新的风险。

在追求高效、高功率的电力电子时代，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为核心开关器件，其性能与可靠性直接决定了新能源汽车、轨道交通、智能电网等关键领域的装备水平。

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