在人工智能、5G、自动驾驶等发展趋势下，市场和消费者对于芯片性能也提出了更高的要求，为了满足新兴应用对高性能芯片的需求，先进封装应运而生。
先进封装主要是指倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Wafer level package），2.5D封装（interposer，RDL等），3D封装（TSV）等技术。与传统封装相比，先进封装具有更高的集成度、更小的尺寸以及更低的功耗等，满足现代电子产品对小型化需求的同时还能够在一定程度上降低制造成本并提高生产效率。
等离子在半导体先进封装中起到的作用
等离子作为一种高效、环保的表面处理技术，在半导体先进封装领域中发挥着越来越重要的作用。通过等离子处理可以改善和解决半导体先进封装中的诸多问题，包括改善凸块（Bumping）工艺质量、消除倒装芯片（(Flip-Chip）底部填充空隙以及减少封装分层等。
等离子在半导体先进封装领域中的应用实例
凸块（Bumping）工艺
凸块（Bumping）工艺广泛用于FC、WLP、CSP、3D等先进封装技术中，倒装(Flip-Chip)时，在芯片上形成凸点，利用加热熔融的焊球实现芯片与基板焊盘结合，以实现芯片与基板或其他封装材料之间的电气和机械连接。
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为了实现更好的焊接效果，在凸块与焊盘连接前可以使用等离子进行表面活化，有效提高凸块与焊盘之间焊接牢固性，从而提高芯片的可靠性。
WaferLevel Package（晶圆级封装）工艺
RDL（重布线层）作为WaferLevel Package晶圆级封装工艺的关键技术，用于重新分布芯片上的I/O 连接，形成表面阵列布局，以满足更复杂的连接需求。在此过程中，等离子表面处理技术可以改善晶圆及封装材料的表面特性，增加表面能，使得金属层和介质层在沉积时能够更好地附着在晶圆表面，有助于形成稳定的金属布线图形。
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钝化层涂布前：通过等离子处理实现晶圆表面改性，从而提高钝化层（PI/BCB）与晶圆的附着力。
显影后：使用等离子对钝化层表面进行活化改性，以提高UBM种子层与钝化层的附着力。
电镀前：通过等离子对光刻胶显影后的胶层进行表面刻蚀，从而提高电镀层的沉积质量。
电镀后：如果光刻胶残留会影响层间的绝缘性能或导致连接不良，需要通过等离子去除残余光刻胶，有助于提升RDL（重布线层）技术的质量。
Underfill点胶工艺前
在Flip Chip (FC)倒装工艺中，实现芯片与基板的连接后，为了提高其稳定性，通常会在芯片与基板之间采用填充胶加固。在Underfill点胶过程中，如果表面的粘附性不足，会导致胶水无法充分润湿芯片和基板之间的间隙，容易产生气泡和空洞，影响封装质量。
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因此，在Underfill点胶前，使用等离子处理可以显著提高芯片和基板表面润湿性，从而增强密封性。
Molding工艺前
Molding工艺用于确保芯片等元器件得到有效的封装和保护。在Molding工艺前，通过等离子处理，可以对芯片和封装载板表面进行清洗活化，提高表现附着力，去除表面有机污染物，从而提高封装的精度和可靠性，减少空洞和剥离现象的发生，防止分层。
晟鼎精密半导体先进封装领域应用设备
微波等离子清洗机SPV-100MWR
SPV-100MWR采用自主研发微波等离子发生器，等离子体高效均匀，在半导体先进封装领域得到广泛应用。
产品优势：
产品放置治具灵活多变，可适应不规则的产品
无电极微波设计，可满足软性产品处理需求
低温等离子体，避免对产品产生热损伤
电中性等离子体，对产物无电破坏
片式真空等离子清洗机
针对半导体现金封装领域中的RDL工艺、Molding工艺、Flip Chip (FC)倒装工艺等，能够大幅提高其表面润湿性，保证后续工艺质量，从而提高封装的可靠性和稳定性。
设备优势：
一体式电极板结构设计，等离子体密度高，均匀性好，处理效果佳
双工位处理平台，四轨道同时上料，有效提升产能
可兼容多种弹匣尺寸，可自动调节宽度，提升效率并具备弹匣有无或装满报警提示功能
工控系统控制，一键式操作，自动化程度高
PLASMA等离子去胶机ST-3100
适用于Ashing(灰化)、聚合物去除、抗反射图形膜层干法清除、离子注入后光阻去除、射频滤波器BAW/SAW工艺中的光阻去除、硬掩膜层干法清除、刻蚀后表面清洁、DESCUM、表面残留物清除等工艺。
设备优势：
采用远程等离子体,晶圆离子损伤低
兼容主流4-8寸晶圆
全自动程度高，实现全自动晶圆上下料、清洗流程
等离子密度高，去胶效果好